單晶矽片
規格：3寸至4寸單晶矽N型輕摻矽片，3寸至4寸單晶矽N/P型重摻矽片
通過摻磷或摻硼，采用MCZ工藝，生產尺寸為3寸、4寸，電阻0，003-55Ω 日本中文字幕在线，cm，厚度200-350um等不同N型單晶矽片或P型單晶矽片，並可根據客戶要求生產定位邊單晶矽片，倒角單晶矽片，N型單晶矽片，P型單晶矽片等，電阻率和厚度根據客戶要求生產。 。
亚洲欧美一区二区三区在线 - 3寸單晶矽N型輕摻矽片
3-inch mono crystal silicon N-type light doped wafer
電阻率Ω·CM | 厚度μm | 晶向 | 壽命μs | 外徑mm | 摻雜劑 | 形態 | 電阻率徑向不均勻性 | ||||
線切片 | 研磨片 | 倒角片 | 定位片 | ||||||||
5-10 | 200-350 | <111> | ＞100 | 76.2±0.3 | 磷 | √ | √ | √ | √ | ≤20% | |
10-15 | 200-350 | <111> | ＞100 | 76.2±0.3 | 磷 | √ | √ | √ | √ | ≤20% | |
15-20 | 200-350 | <111> | ＞100 | 76.2±0.3 | 磷 | √ | √ | √ | √ | ≤20% | |
20-25 | 200-350 | <111> | ＞100 | 76.2±0.3 | 磷 | √ | √ | √ | √ | ≤20% | |
25-30 | 200-350 | <111> | ＞100 | 76.2±0.3 | 磷 | √ | √ | √ | √ | ≤20% | |
30-35 | 200-350 | <111> | ＞100 | 76.2±0.3 | 磷 | √ | √ | √ | √ | ≤20% | |
35-40 | 200-350 | <111> | ＞100 | 76.2±0.3 | 磷 | √ | √ | √ | √ | ≤20% | |
40-45 | 200-350 | <111> | ＞100 | 76.2±0.3 | 磷 | √ | √ | √ | √ | ≤20% | |
45-50 | 200-350 | <111> | ＞100 | 76.2±0.3 | 磷 | √ | √ | √ | √ | ≤20% | |
50-55 | 200-350 | <111> | ＞100 | 76.2±0.3 | 磷 | √ | √ | √ | √ | ≤20% | |
"玖月影视" 4寸單晶矽N型輕摻矽片
4-inch mono crystal silicon N-type light doped wafer
電阻率Ω·CM | 厚度μm | 晶向 | 壽命μs | 外徑mm | 摻雜劑 | 形態 | 電阻率徑向不均勻性 | ||||
線切片 | 研磨片 | 倒角片 | 定位片 | ||||||||
5-10 | 200-350 | <111> | ＞100 | 101.6±0.3 | 磷 | √ | √ | √ | √ | ≤20% | |
10-15 | 200-350 | <111> | ＞100 | 101.6±0.3 | 磷 | √ | √ | √ | √ | ≤20% | |
15-20 | 200-350 | <111> | ＞100 | 101.6±0.3 | 磷 | √ | √ | √ | √ | ≤20% | |
20-25 | 200-350 | <111> | ＞100 | 101.6±0.3 | 磷 | √ | √ | √ | √ | ≤20% | |
25-30 | 200-350 | <111> | ＞100 | 101.6±0.3 | 磷 | √ | √ | √ | √ | ≤20% | |
30-35 | 200-350 | <111> | ＞100 | 101.6±0.3 | 磷 | √ | √ | √ | √ | ≤20% | |
35-40 | 200-350 | <111> | ＞100 | 101.6±0.3 | 磷 | √ | √ | √ | √ | ≤20% | |
40-45 | 200-350 | <111> | ＞100 | 101.6±0.3 | 磷 | √ | √ | √ | √ | ≤20% | |
45-50 | 200-350 | <111> | ＞100 | 101.6±0.3 | 磷 | √ | √ | √ | √ | ≤20% | |
50-55 | 200-350 | <111> | ＞100 | 101.6±0.3 | 磷 | √ | √ | √ | √ | ≤20% | |
3寸單晶矽重摻矽片
3-inch mono crystal silicon heavy doped wafer
電阻率Ω·CM | 厚度μm | 晶向 | 型號 | 外徑mm | 摻雜劑 | 形態 | 電阻率徑向不均勻性 | ||||
線切片 | 研磨片 | 倒角片 | 定位片 | ||||||||
0.003-0.005 | 200-350 | <111> | N/P | 76.2±0.3 | 磷/硼 | / | √ | √ | √ | / | |
0.005-0.008 | 200-350 | <111> | N/P | 76.2±0.3 | 磷/硼 | / | √ | √ | √ | / | |
0.02-0.03 | 200-350 | <111> | N/P | 76.2±0.3 | 磷/硼 | / | √ | √ | √ | / | |
4寸單晶矽重摻矽片
4 inch monocrystal silicon heavy doped wafer
電阻率Ω·CM | 厚度μm | 晶向 | 型號 | 外徑mm | 摻雜劑 | 形態 | 電阻率徑向不均勻性 | ||||
線切片 | 研磨片 | 倒角片 | 定位片 | ||||||||
0.003-0.005 | 200-350 | <111> | N/P | 101.6±0.3 | 磷/硼 | / | √ | √ | √ | / | |
0.005-0.008 | 200-350 | <111> | N/P | 101.6±0.3 | 磷/硼 | / | √ | √ | √ | / | |
0.02-0.03 | 200-350 | <111> | N/P | 101.6±0.3 | 磷/硼 | / | √ | √ | √ | / | |