EPI芯片（外延芯片）
采用外延片為載體，進行擴散，玻璃鈍化，得到特殊產品特性，TRR波形振蕩較小 日本中文字幕在线，應用上幹擾較小， 。
外延片是指用外延工藝在襯底表面生長薄膜所生片的單晶矽片，采用外延片為載體 欧美日韩精品一区二区三区不卡，進行擴散，玻璃鈍化，得到特殊產品特性，TRR波形振蕩較小，應用上幹擾較小， 。
可以滿足客戶在高溫 欧美日韩国产精品一区二区三区，高濕，強電場等惡劣條件下長時間工作需求， 。
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- EPI芯片參數配置表
參數配置表
Dimension | A | B | C | D |
Limits ±12 | Limits ±2 | Limits ±3 | Limits ±1 | |
1A | 50 | 12 | 27 | 2 |
2~4A | 64 | 12 | 41 | 2 |
3~6A | 72 | 12 | 49 | 2 |
5~8A | 84 | 12 | 61 | 2 |
8~10A | 95 | 12 | 72 | 2 |
Parameter | Symbol | SF50 | SF64 | SF72 | SF84 | SF95 | Unit |
Peak Inverse V | PIV | 100 ~ 800 | Volts | ||||
Forward Current | IF | 1 | 3 | 5 | 8 | 10 | Amps |
Forward Volts | VF | PIV：200V VF spec. 0.9 PIV：400V VF spec. 1.25 PIV：600V VF spec. 1.7 PIV：800V VF spec. 2.2 | Volts | ||||
Reverse recovery time | TRR | 20~35 | ns | ||||
Surge Current | IFSM | 30 | 100 | 125 | Amp/8.3ms | ||
Leakage at 100℃ | IRFM | 400 | uA | ||||
Junction Temp | TJ,MAX | 150 | Degrees ℃ | ||||
Leakage 25℃ | IRFM | 10.0 | uA | ||||
Storage Temp | TST | -65 ------- 150 | Degrees ℃ | ||||
Die Attach Temp | TD | 340~375 | Degrees ℃/2 min | ||||
TRR波形振蕩較小(應用上幹擾較小)
本公司提供PG光刻制程,可根據客制要求電性特性; 低溫升產品，大功率產品 国产欧美日韩亚洲一区二区三区， 白/黃金擴散產品， 。
